← На главную

Intel и ASML запустили серийный High-NA EUV — ноутбуки с Panther Lake уже в пути

18.07.2026 19:56 · hackernews

Intel и ASML официально подтвердили: первый в мире High-NA EUV-сканер пошёл в массовое производство. Заявление вышло 15 июля 2026 года. Intel Foundry использует这台 машину для печати части слоёв на новых процессорах Panther Lake — это Core Ultra Series 3 для ноутбуков, построенные на техпроцессе Intel 18A. Речь не о тестовых пластинах: ноутбуки с кремнием, напечатанным на сканере за $380 миллионов, уже едут к заказчикам.

Сам сканер весит 165 тонн и занимает два этажа. Всё это ради одного числа — числовой апертуры (Numerical Aperture). У обычных EUV-машин она 0.33, у High-NA — 0.55. Широкий конус света собирает более мелкие детали, и минимальный элемент на одном экспонировании становится примерно на треть меньше. Практически это значит, что один проход заменяет два или три на старых Low-NA сканерах. Меньше проходов — меньше затрат, времени и дефектов.

Но за 0.55 пришлось заплатить. ASML применила анаморфную оптику: она по-разному масштабирует маску по двум осям, из-за чего поле экспонирования уменьшилось вдвое. Вместо чипа размером 858 мм² теперь максимум 429 мм². Крупные кристаллы приходится экспонировать двумя половинками и сшивать — это усложняет процесс, ради упрощения которого всё затевалось. Плюс цена самого сканера: $380 миллионов, в 2–3 раза дороже Low-NA.

Intel решила не ждать, пока High-NA станет необходимостью. Они встроили его в готовый узел 18A, который спроектирован под Low-NA и многократное экспонирование. Слои на Panther Lake прошли двойную квалификацию — и на Low-NA, и на High-NA — и показали одинаковый выход годных кристаллов. Компания сознательно учится на 18A, чтобы к моменту, когда узлы 14A и 10A потребуют High-NA в обязательном порядке, все рецепты и процессы были отлажены. Это полный разворот по сравнению с эпохой 10 нм, когда Intel опоздала с EUV и платила годами задержек — теперь впереди, а TSMC пока выжидает.

Экономика остаётся спорной. Аналитики SemiAnalysis оценивают, что один проход на High-NA стоит в 2,5 раза дороже Low-NA. По их модели, новый сканер окупается только там, где Low-NA потребовал бы три маски или больше — а до такого сценария большинство слоёв дойдёт лишь к 2030 году. TSMC читает ту же математику консервативно: для своих 2 нм и A16 они High-NA не используют.

Но ASML продаёт. К началу 2024 года было заказано 10–20 систем. SK hynix стал первым производителем памяти, установившим коммерческий экземпляр в конце 2025 года. Samsung тоже работает с заказанными машинами. Даже штат Нью-Йорк заказал один — для установки в Олбани, в лизинг IBM. ASML сейчас собирает 12–15 систем в год и к 2028-му намерена выйти на 20.

Производительность EXE:5200B (производственная версия того самого сканера, который я видел в 2024-м как R&D-модель EXE:5000) в Intel D1X выросла примерно на 60% — до 175 пластин в час при совмещении 0,7 нм. ASML также готовит маски 6×12 дюймов, чтобы уменьшить потери от сшивки половинок. IBM на конференции SPIE показала данные, что сшивка не даёт заметного ухудшения точности.

Intel не планирует маркировать High-NA-чипы отдельно: покупатели получат обычные процессоры, без специального SKU для хвастовства. Для внешних заказчиков на узле 14A High-NA будет опцией — по словам Intel, это даст более быстрый выход на рынок за счёт меньшего числа шагов, видимо, с дополнительной наценкой.

Читать оригинал →