Intel и SAIMEMORY создают вертикальную память ZAM для замены дефицитных HBM в 2029 году

Intel объявила о партнерстве с дочерней компанией SoftBank — SAIMEMORY, чтобы выводить на рынок Z-Angle Memory (ZAM). Это новый тип оперативной памяти, которая складывается вертикально, а её плановый выход ожидается не раньше чем через три года. Разработчики надеются, что ZAM сможет заменить востребованную сегодня высокоскоростную память (HBM), на которую сейчас идет охота из-за бума искусственного интеллекта. Сейчас пропускная способность памяти — главное препятствие для ИИ, когда данные постоянно переносятся между RAM и графическими ускорителями GPU. Компании Nvidia и AMD уже ставят сотни гигабайт HBM в свои чипы, но из-за ажиотажа возник дефицит запасов NAND, что подорожало модули RAM и NVMe-накопители. Технология ZAM обещает вдвое или втрое большую ёмкость по сравнению с HBM и лучшую пропускную способность при низкой энергоёмкости и стоимости. Договор между Intel и SAIMEMORY предполагает использование базовой технологии и экспертизы, которые Intel разработала в рамках программы Next Generation DRAM Bonding (NGDB). Эта программа входит в инициативу Advanced Memory Technology (AMT) от Министерства энергетики США и управления национальной ядерной безопасности (NNSA). В рамках AMT вендоры Intel, SK Hynix и SoftBank совместно с лабораториями DOE разрабатывают ZAM, HBM, межсоединения Compute Express Link (CXL) и немарочную память, например магнитную оперативную память (MRAM). Сейчас программа NGDB находится в третьем году с участием Intel и «Трёх лабораторий» — Sandia National Laboratory, Lawrence Livermore National Laboratory и Los Alamos National Laboratory. Первые два года шли на исследования, а третий посвящён созданию коммерческих продуктов. В январе Sandia сообщила о прогрессе в новой технологии вертикальной пайки восьми чипов памяти к базовому кристаллу с использованием конструкции «via-in-one». Joshua Fryman, главный технический директор Intel Government Technologies, заявил, что архитектура NGDB значительно повышает производительность DRAM и снижает энергопотребление, так как стандартные решения больше не отвечают запросам ИИ. Gwen Voskuilen, ведущий сотрудник Sandia, добавил, что прорыв Intel ускорит внедрение памяти с высокой пропускной способностью в системы, которые раньше были ограничены мощностью. SoftBank инвестировала три миллиарда иен (примерно 19 миллионов долларов) в SAIMEMORY для разработки ZAM вместе с Intel. Ожидают прототип к 2027 году и выход на рынок в 2029-м. Если эти сроки сбудутся, это будет выгодно следующему поколению ИИ-систем, но помочь с текущим дефицитом памяти ZAM не сможет, так как кризис из-за спроса на HBM продлится ещё годы. Параллельно программа ZAM укрепляет стратегический союз США и Японии. Недели до этого заместитель секретаря DOE по науке Dario Gil ездил на конференцию SCA/HPCAsia 2026 в Осаке, чтобы закрепить партнёрство между Argonne National Lab, Nvidia, RIKEN и Fujitsu. Даррио Гиль отвечает за миссию Genesis, инициативу DOE по ускорению научных открытий через ИИ. Создание новой памяти ZAM для замены или дополнения HBM напрямую совпадает с целями миссии Genesis. Санам Масрур, директор по глобальным стратегическим партнёрствам Intel, написал, что переход от AMT к ZAM укрепляет доверенные технологические связи между США и Японией и ускоряет путь от исследований в национальных лабораториях до мирового применения.